来利国际w66官方网站

中文 EN
首页
关于来利国际w66官方网站
新品宣布
TOLL封装 SiC MOSFET
TOLL封装 SiC MOSFET 返回
 新产物宣告

产物介绍 随着新能源市场进入高速生长期，功率器件也需要提供更高的效能，功率分立器件的封装技术也需连续进步。随着下游市场的多样化需求增长，功率分立器件封装产物也逐渐向定制化和专业化偏向生长，来利国际w66官方网站科技推出了一系列TOLL封装的SiC MOSFET产物,非常适合大功率、大电流、高可靠性等应用场景的需求。
产物特点 1.耐高温特性，事情温度（175°C)，精彩的散热性能，有着优异的温升体现，提高了产物的可靠性;
2.低的封装电阻，低的寄生电感，精彩的EMI体现；而且有着KS源极，开关速度快，损耗低，适用于高压，
高频的应用条件；
3.与TO-263封装相比，TOLL封装的PCB占板面积减少了30%，高度减低了50%，电路板空间减少 60%，更
适合高功率密度应用场所。
规格书

YJD206520TLGH YJD212060TLGH YJD212080TLG1

相关新品

IGBT微沟槽单管产物——光储充新能源应用

用于散热风扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET

LowVcesat 3A双极晶体管新产物宣布

用于汽车PTC的IGBT单管新品

用于以太网供电(PoE/PoE+)的N150V SGT MOSFETs新品

用于负载开关的P 40V Trench新品

120V SGT工艺N-Channel MOSFET

小信号SOT-723新封装

应用于汽车PTC的80A/1200V IGBT单管

SOD-123FL封装功率ESD

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请访问我们的执法声明与隐私声明。如果您选择继续浏览这个提示，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图