来利国际w66官方网站

首页
关于来利国际w66官方网站
来利国际w66官方网站简介企业新闻生长历程企业荣誉合规诚信新品宣布招聘信息技工教育
产物中心

分立器件晶圆集成电路

汽车

小信号开关二极管
小信号肖特基二极管
小信号稳压管
小信号三极管
整流二极管
快恢复二极管
肖特基二极管
瞬态抑制二极管
静电�；ざ�
MOSFET
功率三极管
小信号数字三极管
功率稳压管
SiC汽车电子
IGBT汽车电子

整流器件

整流桥
普通整流二极管
快恢复二极管
超高效整流二极管
超快恢复二极管
肖特基二极管
光伏二极管

汽车电子整流器件
整流二极管快恢复二极管肖特基二极管

�；て骷�

瞬态抑制二极管
晶闸浪涌�；て�
静电�；ざ�
稳压管

可控硅
单向可控硅双向可控硅

汽车电子�；て骷�
瞬态抑制二极管静电�；ざ� 功率稳压管

小信号

小信号开关二极管
小信号肖特基二极管
小信号稳压管
小信号三极管
小信号数字三极管
功率三极管

汽车电子小信号
小信号开关二极管小信号肖特基二极管小信号稳压管小信号三极管功率三极管小信号数字三极管

MOSFET

ALL MOSFET
汽车电子MOSFET

高压MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低压MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二极管单管
SiC MOSFET单管
SiC二极管�？�
SiC MOSFET�？�
汽车SiC肖特基二极管
汽车SiC MOSFET

IGBT

IGBT�？�
IGBT单管
IGBT汽车电子

�？�

整流�？�
快恢复�？�
肖特基�？�
晶闸管�？�
晶闸管混合�？�

平板型分立器件

普通晶闸管
快速晶闸管
普通整流管
快恢复整流管
焊接整流管

4/5寸晶圆

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高压�？檠┍佬酒�
汽车电子芯片

6寸晶圆

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防护芯片

8寸晶圆

集成电路

负载开关
线性稳压器
并联式电压基准
开关电源转换器

产物参照

中文 EN

首页

关于来利国际w66官方网站

新品宣布

650V Super Junction N-Channel MOSFET

650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回

新产物宣告

产物介绍 1.接纳来利国际w66官方网站科技特殊多层外延工艺制程设计的650V系列超结产物，可以满足低导通损耗、低开关损耗、EMI兼容性以及差异电路拓扑结构应用要求，产物具有良好的导通内阻（Rdson)和栅极电荷（Qg)性能，降低导通损耗和开关损耗，更低的开关噪声、更低的Trr，综合提升系统稳定性及性能。
2.开关速度与EMI平衡、更低的Trr特点，适用于充电器，电源适配器，TV电源、工业电源等领域，亦可满足一些半桥或种种桥式电路拓扑结构应用要求。

产物特点 1.接纳来利国际w66官方网站科技特殊多层外延工艺制程设计，具有更高的工艺稳定性和可靠性，开关速度与EMI 平衡、更低的Trr特点；
2.系列产物具有低导通电阻、低栅极电荷、导通损耗和开关损耗低的特点；
3.接纳TO-252/ITO-220AB封装，具有更好的热值特性。

规格书

相关新品