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新品宣布
1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET
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 新产物宣告

产物介绍 2021年来PV逆变器市场进入高速生长期，对碳化硅功率器件的需求迅速增大。碳化硅二极管和MOSFET应用在诸如BOOST电路等应用中，因为第三代半导体质料带来的高频特性，可以提高系统的开关频率，从而可以优化整个系统的能耗和体积。我司碳化硅 MOSFET为匹配PV、EV行业客户需求，开关性能、通流能力以及产物可靠性可以对标行业最佳 ； 不仅适用于通例开关应用，还满足控制要求高的高压高速开关应用，接纳环保物料，切合RoHS尺度
产物特点 1、耐高温特性，事情温度（150°C) ；单极性器件,开关速度快，损耗低，适用于高压，高频的应用条件
2、接纳先进的减薄工艺，使SIC MOSFET具有优异的低阻抗特性，减小器件能量损耗
3、TO247AB，TO247-4L等多种封装形式可选
4、通过行业严苛的可靠性认证，包罗大批量的HTRB、HTGB测试和HV-H3TRB测试
规格书

YJD212040NCFG1 YJD212040NCTG1

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